规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 80V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 39 mOhm @ 6.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 35nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1180pF @ 40V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8SOIC N |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 80 V |
最大连续漏极电流 | 6.5 A |
RDS -于 | 39@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 11 ns |
典型上升时间 | 8 ns |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
典型下降时间 | 12 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOIC |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 39@10V |
最大漏源电压 | 80 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SOIC N |
最大功率耗散 | 2500 |
最大连续漏极电流 | 6.5 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.5A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
供应商设备封装 | 8-SO |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 39 mOhm @ 6.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1180pF @ 40V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 35nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | FDS3590CT |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 6.5 A |
封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
零件号别名 | FDS3590_NL |
下降时间 | 12 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.006596 oz |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 25 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | FDS3590 |
RDS(ON) | 32 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 2.5 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 8 ns |
漏源击穿电压 | 80 V |
漏极电流(最大值) | 6.5 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.039 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOIC N |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 80 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
宽度 | 3.9 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | PowerTrench |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 6.5 A |
长度 | 4.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 32 mOhms |
身高 | 1.75 mm |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
技术 | Si |
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